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公司简介北京行者多媒体科技有限公司是一家以数字多媒体技术的科学研究和产业化为专业方向的高新技术企业，是网络化数字多媒体监视系统科研和推广的先驱，它的网络远程监控技术居于国际水平。
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| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN101246818A | 再次沉积的非晶硅薄膜 | 2008.08.20 | 本发明公开了一种新颖的非晶硅薄膜的形成方法。这个依赖于等离子体增强化学气相沉积过程的方法由两步组成， |
| 2 | CN101244893A | 玻璃基板的防反射层制作方法 | 2008.08.20 | 本发明公开了一个减弱薄膜光伏器件光反射的方法。将以玻璃为基板的光伏器件浸入含有玻璃珠粒的液体之中，使 |
| 3 | CN101246929A | 多结薄膜光伏器件的制作 | 2008.08.20 | 本发明公开一种多结薄膜光伏器件的制作方法。在基于硅薄膜的由多个p－i－n单元依序叠加形成的多结光伏器 |
| 4 | CN101246930A | 薄膜太阳能电池的超白反射层 | 2008.08.20 | 本发明公开了一种薄膜太阳能电池的超白反射层。薄膜太阳能电池的反光背电极由一个足够厚的透明导电氧化物( |
| 5 | CN101245446A | 改善大面积镀膜均匀性的方法 | 2008.08.20 | 本发明公开了一种改善大面积镀膜均匀性的办法。在电容耦合式平行电极的等离子体增强化学气相沉积(PECV |
| 6 | CN101246912A | 在活跃光吸收层有导电通路的光伏器件 | 2008.08.20 | 本发明公开了一种在活跃光吸收层有导电通路的光伏器件。一个太阳能光伏模块包含一排内部串联的隔开的光伏电 |
| 7 | CN101246922A | 薄膜光伏器件中增强光捕获效应的方法 | 2008.08.20 | 本发明公开了一种改进薄膜硅p－i－n型太阳能电池对长波辐射感应的方法。其特征是对一个较厚的n层进行蚀 |
| 8 | CN101245489A | 纳米晶硅的形成方法 | 2008.08.20 | 不具有非晶态潜伏层的纳米晶硅薄膜的形成由两个等离子体增强化学气相沉积(PECVD)阶段组成：动态平衡 |
| 9 | CN101246928A | 薄膜硅太阳能电池的背接触层 | 2008.08.20 | 本发明公开了一种新型薄膜硅太阳能电池的背接触层。尽管以银作为背接触层的小型太阳能电池可具有很高的效能 |
| 10 | CN101246951A | 作为非晶硅电池p层的透明导电聚合物 | 2008.08.20 | 本发明公开了p型聚合物薄膜在氢化非晶硅光伏器件中的应用。真空镀膜产生的10－30纳米厚的透明p型聚合 |
| 11 | CN101246919A | 获得氢化硅薄膜粗糙表面的方法 | 2008.08.20 | 本发明公开了一个增强薄膜硅光伏器件光吸收的方法。首先在基板上沉积一个含有纳米颗粒的超薄硅层，从而使得 |
| 12 | CN101246918A | 非晶硅光伏器件中的防反射膜 | 2008.08.20 | 本发明公开了一种非晶硅光伏器件中的防反射膜的技术手段。在基于薄膜硅的光伏器件的前电极和第一p层之间嵌 |
| 13 | CN101246925A | 改进非晶硅太阳能电池稳定性的方法 | 2008.08.20 | 本发明公开了一种改进非晶硅太阳能电池稳定性的方法。在使用等离子体增强化学气相沉积法生成氢化非晶硅的过 |
| 14 | CN101245447A | 纳米晶硅的等离子体沉积方法 | 2008.08.20 | 本发明公开了一种纳米晶硅的等离子体沉积方法。传统方法制作氢化纳米晶硅(nc－Si)薄膜是在等离子体增 |
| 15 | CN101245488A | 临界条件下生长纳米晶硅的方法 | 2008.08.20 | 本发明公开了一个适用于太阳能电池的纳米晶硅的制作方法。在等离子体增强化学气相沉积过程中，一个或多个等 |
| 16 | CN101246920A | 增强薄膜光伏器件光吸收的方法 | 2008.08.20 | 本发明公开了一种增强薄膜光伏器件光吸收的方法。首先在玻璃基板上形成透明前电极，然后对该前电极进行处理 |
| 17 | CN101246927A | 非晶锗薄膜的光伏应用 | 2008.08.20 | 本发明公开了一种结构更简单，生产成本更低的多结光伏器件。一个多结光伏器件包括首结、第二结和第三结基于 |
| 18 | CN101246923A | 薄膜硅光伏器件的背电极 | 2008.08.20 | 本发明公开了一种新型的薄膜硅光伏器件的背电极。为了同时获得银和铝薄膜背电极的优点，并抑制它们的缺点， |
| 19 | CN101246924A | 基板具有纹理表面的太阳能电池 | 2008.08.20 | 本发明公开了一种使用具有纹理化表面基板的薄膜光伏器件。在p－i－n型氢化硅光伏器件的玻璃基板的外表面 |
| 20 | CN101245450A | 可移式等离子箱单室大批量镀膜的方法 | 2008.08.20 | 本发明公开了一个制造大面积薄膜硅光伏器件的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备和方法。采用能承 |
| 21 | CN101246915A | 薄膜太阳能电池的光漫射层 | 2008.08.20 | 本发明公开了一种薄膜太阳能电池的光漫射层。用辉光放电方法形成的极透明且具有极高漫射性的氮化硫薄膜可被 |
| 22 | CN101245686A | 真空绝热光伏窗 | 2008.08.20 | 本发明公开了一种部分透明的光伏窗，该光伏窗包含置于玻璃衬底上的薄膜硅光伏模板。该光伏模板与另外一个玻 |
| 23 | CN101246914A | 薄膜太阳能电池的背反射层 | 2008.08.20 | 本发明公开了一种薄膜太阳能电池的背反射层。薄膜太阳能电池的背电极由一个透明导电氧化物(TCO)薄膜和 |
| 24 | CN101246921A | 增加透明导电氧化物光散射能力的方法 | 2008.08.20 | 本发明公开了一种增加透明导电氧化物光散射能力的方法。首先将平展的玻璃基板进行处理，使其表面具有适当的 |
| 25 | CN101245448A | 单室等离子箱制作薄膜硅光电转换器件的方法 | 2008.08.20 | 本发明公开了一个制作薄膜硅光电转换器件的设备和方法。所使用的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系 |
| 26 | CN101246931A | 硼迹量掺杂的本征氢化硅薄膜 | 2008.08.20 | 本发明公开了一个使包括氢化非晶硅和氢化纳米晶硅的氢化硅薄膜具有真正本征性的方法。在等离子体增强化学气 |
| 27 | CN101246926A | 非晶硼碳合金及其光伏应用 | 2008.08.20 | 本发明公开了氢化非晶硼碳(a－CB)薄膜的制作和应用。非晶硼碳合金可由等离子体增强化学气相沉积法在低 |
| 28 | CN101244359A | 硅烷废气的处理装置 | 2008.08.20 | 本发明公开了一个新颖的处理硅烷废气的设备及方法，适用于大规模半导体器件生产过程。该处理系统包含一个高 |
| 29 | CN101244894A | 优质氧化锡的形成方法 | 2008.08.20 | 本发明公开了一种优质氧化锡的形成方法。在使用大气压化学气相沉积法(APCVD)制作适用于薄膜太阳能电 |
| 30 | CN101246917A | 增加薄膜太阳能电池光吸收的方法 | 2008.08.20 | 本发明公开了一种增加薄膜太阳能电池光吸收的方法。首先在玻璃基板上沉积直径低于1微米的玻璃珠粒，使其表 |
| 31 | CN101246916A | 减少氢化硅薄膜光伏器件内反射的方法 | 2008.08.20 | 本发明公开了一种减少氢化硅薄膜光伏器件内反射的方法。在沉积p－i－n型光伏单元之前，采用等离子体处理 |
| 32 | CN101246913A | 透明导电氧化物的等离子体沉积方式 | 2008.08.20 | 本发明公开了一种使用等离子体沉积过程制作透明导电氧化物的方法。向等离子体增强化学气相沉积(PECVD |
| 33 | CN101245449A | 大批量生产薄膜的等离子箱 | 2008.08.20 | 本发明公开了一个用于同时在许多个大面积基板上镀膜的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备和方法。 |
| 34 | CN101246932A | 氢氩高稀释方法生产氢化硅薄膜 | 2008.08.20 | 本发明公开了PECVD过程中氢氩高稀释方法生产氢化硅薄膜的技术手段。用PECVD(等离子体增强化学气 |
| 35 | CN101236997A | 薄膜硅太阳能电池的背接触层 | 2008.08.06 | 本发明公开了一种新颖的薄膜硅太阳能电池背接触层的设计方案。为了克服薄膜氢化硅太阳能电池中有关氧化锌/ |
| 36 | CN101237000A | 基于薄膜硅的多结光伏器件的纳米晶硅和非晶锗混合型吸收层 | 2008.08.06 | 本发明公开了一个p－i－n型光伏电池，该光伏电池包含一个新颖的带隙较窄的i层吸收层。该吸收层的前部分 |
| 37 | CN101235492A | 使得非晶硅电池变得更稳定的化学退火办法 | 2008.08.06 | 本发明公开了一种改进本征非晶硅薄膜的稳定性的化学退火方法。在使用等离子体增强化学气相沉积法生成氢化非 |
| 38 | CN101236794A | 非晶硅碳薄膜核电池 | 2008.08.06 | 本发明公开了将核能转换成电能的原子电池的一种新颖设计。基于非晶硅或其合金的D伏(beta－volta |
| 39 | CN101235490A | 非晶硅薄膜的处理方法 | 2008.08.06 | 本发明公开了一种使得低温度化学气相沉积的氢化非晶硅变得更稳定的处理方法。将沉积好的氢化非晶硅薄膜或其 |
| 40 | CN101234282A | 半导体生产过程中废气的处理设备及方法 | 2008.08.06 | 本发明公开了一个新颖的使用燃煤炉处理硅烷的设备及方法，适用于半导体生产过程。在燃煤炉中穿孔的煤块被有 |
| 41 | CN101236998A | 透视型非晶硅光伏玻璃窗 | 2008.08.06 | 本发明公开了一种特殊的适合光伏建筑一体化应用的薄膜光伏模块。透视型非晶硅(a－Si)光伏模块是由透明 |
| 42 | CN101235491A | 脉冲式等离子体镀膜方法 | 2008.08.06 | 本发明公开了氢化硅薄膜的沉积方法。在低温的等离子体增强化学气相沉积过程中，以脉冲的形式周期性的向负电 |
| 43 | CN101236796A | 稳定的非晶硅核电池 | 2008.08.06 | 本发明公开了将核能转换成电能的原子电池的一种设计方案。本发明由于把含氚的β放射性元素放置在p－i－n |
| 44 | CN101236795A | 非晶硅多结核电池 | 2008.08.06 | 本发明公开了将核能转换成电能的原子电池的一种设计方案。本发明通过由多结非晶硅p－i－n型电池重叠而成 |
| 45 | CN101235534A | 高压固相晶化法 | 2008.08.06 | 本发明公开了一种将非晶硅薄膜转化成多晶硅的方法。将沉积于基板上的氢化非晶硅薄膜或其器件置于不小于20 |
| 46 | CN101235489A | 使用三个电极的蚀刻所导致的薄膜沉积方法 | 2008.08.06 | 本发明公开了一种完全新颖的薄膜沉积的方法，特别是介绍一种使用三个电极的蚀刻所导致的薄膜沉积的技术手段 |
| 47 | CN101235488A | 在放置于射频等离子体之外的衬底上形成薄膜的技术 | 2008.08.06 | 本发明公开了一种完全新颖的薄膜沉积的方法，特别是一个方法采用具有三个平行电极的RF－PECVD系统的 |
| 48 | CN101236999A | 非晶硅薄膜光伏模块的分流缺陷的钝化方法 | 2008.08.06 | 本发明为包含较薄的i层的p－i－n型大面积基于氢化非晶硅薄膜的光伏模块提供了一种抑制分流缺陷的方法。 |
| 49 | CN101237005A | 微晶硅薄膜的形成方法 | 2008.08.06 | 本发明公开了一种制作氢化微晶硅薄膜的方法。首先在基板上形成一个含有晶核的氢化硅引晶层，然后快速的用等 |
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